約 1,277,186 件
https://w.atwiki.jp/dq5_ds/pages/15.html
青年時代後半 海の神殿 エルヘブン 天空への塔 地下遺跡の洞くつ 天空城 迷いの森 妖精の村 すごろくの穴 妖精の城 封印の洞くつ ボブルの塔 大神殿 最果てのほこら お金もちの屋敷(訪れても地図にマーキングされない) オークション会場跡(訪れても地図にマーキングされない) 暗黒世界のほこら ジャハンナ 暗黒のすごろく場 エビルマウンテン
https://w.atwiki.jp/akatonbo/pages/2162.html
シーラカンスの時代 作詞/つまだ A)100人の微笑感じながら アイデンティティを守る 夢追い人に 僕はなっていた B)ヒレが消えて 代わりに腕が 望んだからか なぜか生えてきた A)水槽の中の回遊魚 越えられない壁触れて 羨ましいと 恐らく思うだろう B)僕は死んで 生まれ変わり その時にはもう 夢を手にしていた S)ただ 立ち尽くすことも出来ずにいた あの日が 今は懐かしい S)まだ 進化をとめないこの体に 時代は 追いつかないから あぁ
https://w.atwiki.jp/jap0/pages/76.html
《全体像の把握》 ★全体像の把握(理解の基準点) ①室町時代＋戦国時代 ②安土桃山(信長と秀吉の時代) 織田信長→豊臣秀吉へと変化 ③江戸(1603～1867、徳川家が中心) 大切なことは３つ。このように整理すると、成績が上がりやすい。 ・戦国時代はヨーロッパが来てから劇的に変わったこと。 ・安土桃山はヨーロッパとのさまざまな交流の影響を受けていたこと。 →ヨーロッパを軸に整理すること＋ヨーロッパの内容を理解することが大切になる。 ・信長の政策と秀吉の政策の共通点と相違点 ＋α秀吉の政策がどのように引き継がれていくのか。 《ヨーロッパと日本の関わり》 ☆どのようなヨーロッパの国々と関わったのか １６世紀：ポルトガル・スペイン １７世紀：イギリス・オランダ １９世紀：ロシア ☆覚えておくべき年表(これを見たうえで、詳細事項を思い出してほしい) 年表 1543 (①ポルトガル人)が(②鉄砲)を(③種子島(※))伝える 1549 イエズス会の宣教師の(④ザビエル)が来日した。 →(⑤キリスト教)を伝来して、(⑥南蛮貿易)を始める。 ※(⑤)の信者のことをバテレン、キリシタンなどと呼ばれる。 ☆ヨーロッパとのかかわりでの重要なポイント ①武士の戦闘スタイルが変わるようになったこと。 →戦国時代を短期的に終わらせることが出来た。 例、薬(毒薬)や鉄砲、火薬など ②産業構造が変容したこと。 →最初は貿易に頼っていた。しかし、自国で生産するようになった。 例、生糸(絹織物)や鉄砲、火薬など ③南蛮貿易でのメリットとデメリット。 メリット：生活水準が向上・変化した→安土桃山時代では貿易は続けていた 例、薬・ガラス製品など デメリット：「神の前にみな平等」という思想による支配者への反発 →秀吉の時代になると、キリスト教の布教を禁止した(バテレン追放令) ☆詳細事項 ①鉄砲伝来 発端 ◎中国船に乗ったポルトガル商人が種子島に偶然流れ着いた。 →鉄砲を珍しがっていたのか、種子島を支配していた人(領主)が鉄砲を二丁(※１)購入した。 (当時日本に鉄砲はなく、刀や馬で戦争していたため、珍しかった)。 →その一丁は、自分の一族が保管し、もう一丁は室町幕府(※２)に献上した。 (※１)鉄砲の単位を聞くのもよいかもしれません。 (※２)室町幕府の場所は聞いたほうが良いかもしれません。 ☆鉄砲をもたらした目的と影響 概要 ①歴史的背景と戦闘スタイルの変化 １支配の中心が室町幕府であること。 Butみんな言うことを聞かなかった→全国各地で全国統一のために戦争した。 例、織田信長、今川義元、武田勝頼など（軽く聞き流してもらう） その戦いぶりは、馬と刀を使って戦っていた（近距離戦）。 ↓ ２鉄砲とは、中遠距離戦用に活用した。 近距離戦には、遠距離戦用の武器が有効に働く。 ３戦争に勝つために、鉄砲を大量生産するようになった。 そのためには、軍事力と経済力を必要とした。 ※なぜ鉄砲が大量生産された背景を答えなさいという問題で出題される。 ②大量生産(産業) Q１場所はどこか A１関西地域 → 国友(滋賀県)、堺(大阪府) →その後全国に普及した。 (※)関西地域は、幕府の場所から覚えやすい。大まかに覚えて、細かく覚える。 Q２誰が作ったのか。また、なぜその人が適任なのか A２刀鍛冶職人 理由：鉄砲を作るには、鉄を加工する技術が必要。 ①加工する技術を持つ必要がある。 ②高温で燃やすために、石炭や水が必要になる（産業革命の伏線）。 ③原産量である鉄などを鉱山から大量に再出した。 ④産業を作るための経済力が必要 →商業を発展させて、お金儲けをさせる政策を実施。 （注）Q２は、①鉄砲の様子を資料から読み取らせる②なぜ刀鍛冶職人だったのかが 出題されやすい。 Q３当時の鉄砲を効果的に使う方法は何か A３①当時の鉄砲は、火薬を詰め込んで発射させる必要があります。 →火薬を爆発させるために、植物と一緒に燃やす必要があった。 その植物が木綿だった。 ②当時の鉄砲は、１分間に4発しか打てなかった（※）。 （※）長篠の戦いの資料を見せながら説明を加える。 鉄砲隊を作る→柵に並ぶ→鉄砲を発射したら、一番後ろに並ぶ→弾を詰める こうすることで、デメリットを解消することが出来た。 Q４、他にも鉄砲の入手方法はなかったのか A４、南蛮貿易で鉄砲と火薬を大量購入することも出来た。つまり、ヨーロッパと上手に付き合うことが出来るのかがかなり大切になってくる。 Q５、鉄砲を使って、勢力を拡大させることが出来た戦国大名は誰なのか Q５、織田信長。要因は２つ ①商業を反映させる政策を実施していた。 →鉄砲を独占した政策などを実施。 ②南蛮貿易によって、鉄砲や火薬を大量購入した。 ③文化史的意義 その後、鉄砲対策や鉄砲が活躍できるように、頑丈な城を平面に作るようになった。その具体例が安土城（安土城など）。これは、安土城の資料を見せておくとよいだろう。 ②宣教師とキリスト教 ①日本に宣教師が来た背景とは何か 宗教改革によって、信頼を失ったキリスト教徒(厳密にはローマ＝カトリック)は、アジアを通じて布教活動を行った。布教活動を通じて、正しいキリスト教を伝えて、キリスト教を用いて支配しようとした。具体的には以下の通りである。 １キリスト教徒に改宗、日本人の味方を増やす(勢力増大)。 →勢力を増やして植民地化 ２キリスト教を通じて味方を強化した。 キリスト教の教えには、①神の前にみな平等である(身分の高い人間に身分の低い人間は遠慮をしなくなる)②教えに従った場合、死後に永遠の魂(※)が手に入る(死ぬことにメリットを感じるため、死を恐れない)。 (※)人間には、肉体と精神があるとされた(古代史から変わらない)。死んだら、魂が肉体から離れる。そして、二度とその魂は肉体に宿らない。その理由はキリストが、それを許さないから。しかし、キリスト教の教えに(牧師や教会、聖書に)従った場合、キリストがその魂は肉体に宿ることを許すため、キリスト教の教えに従えば、「救われる」。 ②フランシスコ＝ザビエルの来日(※１) 1549年にフランシスコ=ザビエルが鹿児島に上陸し、幕府の将軍に会った。 →将軍側にとって、ポルトガル人やスペイン人は日本人ではないので、不信感を抱いていた。 (見知らぬ人に警戒するのと同じ)。そのことから、「幕府から見て南からやって来た野蛮人」という意味で、南蛮人と呼ばれた。 ③キリスト教を日本人に伝える方法。 １印象をよくした 宣教師たちに不信感を抱いている日本人に対して、印象をよくするために、以下のような政策を実施した。 →宣教師は、①病院や学校、孤児院などを作って民衆に役立てた。 ②南蛮貿易を通じて、戦国大名に貢献した。 →戦国大名や民衆からの信頼度が上がった。 例①キリスト教の信者(キリシタン)やキリシタン大名になるものが現れた。 例②天正遣欧使節(1582年)をヨーロッパに派遣して、キリスト教の洗礼を受けた。 ※洗礼とは、ある思想の洗脳を受けること 例③自分の領土を教会に献上した。 →豊臣秀吉はこれに危機感を覚えて、バテレン追放令を出した。 ２戦国時代を短期的に終わらせることが出来た。 宣教師にとって、邪魔なものは戦国大名だった。なぜなら、戦国大名は武力的に強いから。植民地政策を行う邪魔者だったから。 →その邪魔者を蹴散らすために、ある戦国武将(※２)に力を貸して他の勢力を駆逐させた。 具体的には、鉄砲を献上して戦力を増大させる 毒薬をある戦国大名に献上して、戦国大名の部下をスパイにした。 ある戦国大名の敵陣の大将に飲ませた。 →勢力を削減させた状態を狙って植民地化政策へ。 (※１)ビジュアルでの解説が一番か (※２)織田信長が有名。 ③南蛮貿易 ①何を貿易したのか 鉄砲・火薬・生糸(※)・西洋画の手法 南蛮人 日本 金・銀 ②南蛮貿易は良かったのか(記述問題では頻出) 南蛮貿易は武士にとっても、民衆にとってもよかった。そのため、秀吉はバテレン追放令でキリスト教の布教を禁止したかったが、南蛮貿易は禁止しなかった。しかし、江戸幕府は、キリスト教が脅威だと気が付いて、ヨーロッパとの交易を禁止した。 ③貿易品によってもたらされたものは何か A鉄砲・火薬(解説済み)…しいて上げるならば、ルネサンスの三大発明 B生糸 １生糸は何産だったのか 生糸は中国産だった。ではなぜ、中国産の生糸を手に入れるために、南蛮貿易を行ったのか。 清 ポルトガル 日本 当時、清は海禁政策(一定の国とは貿易をしない政策)を行っていた。その理由は、清は朝貢貿易を行った結果、財政面で不利になったから。しかし、日本は貿易を行いたい。そこで、当時清と貿易を行っていたポルトガルを介して、日本は清と貿易を行っていた。 こうした貿易によって、生糸を獲得した日本は、生糸を用いて製品(絹織物)を作り出すようになった。 ２南蛮貿易の実態はどうだったのか 逆のことを言えば、清の製品を手に入れるには、ポルトガルとの貿易をしなければならない事態に陥った。 →ポルトガルは清の製品を輸出するのに、大量の銀を日本に支払わせようとした。 (1000円くらいのものを、10000円くらいで販売した感じ) そこで、日本が取った策は、①清の製品の価格を固定した(1000円でしか貿易しないと決めた) ②清の製品を国産化した(生糸の国産化)。 特に、江戸時代になると、金と銀のそこが尽きる。そこで、②に移行していく。ちなみに、鎖国した背景は、②が出来ているかも確認して鎖国を実行したらしい(江戸幕府は貿易を制限して生糸が手に入らないリスクがあるのかどうかも検討して行ったらしい)。 C銀 １日本は銀をどのように手に入れたのか 南蛮貿易を行うために、戦国大名は金山や銀山から大量に掘り起こした。秀吉は、貿易のもうけが欲しかったため、以下の政策を実行した。 ・戦国大名をやっつけるついでに、鉱山を独占した(金や銀が手に入れば、南蛮貿易が活発化)。 →関ケ原の戦いで家康が勝利した後、秀吉が独占した金山や銀山を独占した。 (他にも秀吉の財産や政策を引き継ぐことにもなる)。 ２日本は銀をどのように活用したのか １絵の具に活用した(後述する) ２貨幣を鋳造するための材料として用いた(金貨と銀貨) ３海外による影響 １アジア →銀が大量に流出するようになり、アジアでは、銀を用いる貿易が主流になった。 ２ヨーロッパ →銀が大量に流出された→銀貨を多くの人たちが持つようになった。 ⇨銀の価格が高騰するようになった(※)。 (※)物価の説明が必要になる(ルネサンス期のところで解説すべき)。 物価とは価格ではなく、「買いやすさ」である(お金をみんなが持っているかどうか) ④文化的影響 絵画の歴史が変わった(※) ・遠近法の使用。 ・絵画が派手になった。カラフルなのは、金山・銀山から産出した金や銀を使った。 (※)ザビエルの肖像画や狩野永徳が描いた絵画を見るとよく分かる。 《信長・秀吉の政策》 ◎信長の戦い方 ☆ポイント ①信長は、武力で宗教勢力や武士の勢力を拡大し続けていた(下剋上)。 ②南蛮貿易の力を借りてのし上がってきた。 ③戦いは、誰と誰が戦ったのかと戦いの名前と西暦は一緒に覚えること。 地図を効果的に使用してもよいですね。 ☆年表 1560 今川義元を破る(桶狭間の戦い)(①) 1573 15代将軍義昭を室町から追放する(室町幕府が滅亡)(②) 1575 鉄砲を効果的に活用して武田勝頼を破る(長篠の戦い)(③) 1580 石山本願寺を焼き討ちして、仏教勢力を駆逐した(石山戦争)(④) 1582 部下の羽柴秀吉に毛利元就をやっつけるように命じる(⑤) 明智光秀に本能寺で暗殺される(本能寺の変)(⑥) ⇨毛利元就をやっつけた秀吉は、京都に戻って毛利元就をやっつける！ ☆詳細解説 ①楽市楽座 ①意味(記述で出題される) 関所を撤廃して、商業を自由に活発化させる政策のこと。 ②用語の意味 １関所とは何か 起源は律令国家。関所の目的は、民衆が他の地域に移動したときに、どのように移動したのかを把握するため。室町時代になると、交通が活発になることを背景に、幕府は関所に通るたびにお金を取るようになった。その結果、他の地域で商人は商売をしなくなった(他の地域に行くたびにお金を取られてしまうから)。 塾で関所を説明するならば、『「教室に入っただけでお金が取られる」仕組みがあったら、君たちは塾で自習がしたい？』と聞いてあげるとよいと思います。 これを公民経済とつなげると、以下のようなことが言える。 ①お金を払いたくない(大宝律令の租税制度で説明可能) ②これを外国範囲に拡張すると、自由貿易と保護貿易の話につながる。 １関税の概念が関所と同じだから(保護貿易)。 ２自由にお金儲けをさせることで行動選択肢が拡張させることにもつながるため、 貿易は制限しないほうが良い(自由貿易)。経済系の法律の問題点でもある。 ③お金を使い続けるとみんなが幸せになる。 １ある商人は商売をした結果、ある商人はお金をゲットする。 ⇨そのお金で、商品などを買う。 ⇨その商品を売った人が儲かる⇨その商品を売った人がまた他の商品を買う。 …みんなが幸せになる。 ２商売が繁盛すると、その儲けたお金を使ってよりよい工夫を施す。 例、人を多く雇わせる、機械を導入させるなど ⇨たくさんの製品を作って、安い製品を作る⇨みんなが買う⇨儲かる(繰り返す) 《秀吉の学習ポイント》 将軍になる条件…①源氏の血を引いていること ②天皇から認められること。 そこで、義昭に秀吉は義昭の養子になってくれと頼んだ。しかし、義昭はこれを拒否。 そこで、秀吉は朝廷に豊臣姓をもらった(豊臣姓)。 朝廷の権威を借りて、秀吉は全国統一を行う。 ■信長と秀吉 信長＝武力で戦う （例）南蛮貿易を奨励／一部の勢力をやっつけただけで、天下統一できず 秀吉＝朝廷の権威を借りて武力で戦う （朝廷から「豊臣」姓を授かって貴族化した） （例）南蛮貿易を黙認／朝廷の力の借りて天下統一
https://w.atwiki.jp/notepat/pages/66.html
概要 核融合炉Mk.I 構成ブロックの作成核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)本体ブロック LuVマシン外装(LuV Machine Hull) LuVハッチ・バス(LuV ～ Hatch/Bus) 核融合炉Mk.I の組み立て ヘリウムプラズマの作成 ユーロピウムの作成 Cristalprocesser(とLuVマシン)の作成LuVマシンコンポーネントの作成について LuVマシンコンポーネントのレシピ基本素材の作成レシピ LuVマシンコンポーネントの作成レシピ レーザー刻印機(LuV) 回路組立機(LuV) クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の作成クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の量産について 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe) 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロック コメント 概要 時代内容主に核融合炉Mk.Iの組み立てと稼動を目指す時代。 核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成、稼動に必要に電力を確保する。 主な作業核融合炉Mk.Iの構成ブロックの作成 核融合炉Mk.Iの組み立て ヘリウムプラズマ(Helium Plasma)の作成 Crystal回路の作成 次の時代への目標核融合炉Mk.2の作成に必要な素材の確保 核融合炉Mk.I 構成ブロックの作成 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe) 押出加工機(HV)：とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2・タングステン鋼インゴット (Tungstensteel Ingot)×１・押出加工機の型[とても小さなパイプ] (Extruder Shape (Tiny Pipe) )：１ ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot) 電気高炉(HV)[4500K]：ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×4・ガリウムインゴット (Gallium Ingot)×１・バナジウムインゴット (Vanadium Ingot)×3 バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) 真空冷凍機(MV)：バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×1・ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×１ バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) ワイヤー作成機(LV)：1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×2・バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×１ 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) クラフト：1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×3・1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×3・とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2・電気ポンプ[LV] (Electric Pump (LV) )×2・窒素セル (Nitrogen Cell)×１・ヘリウムセル (Hellium Cell)×１ レシピ本：核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)) [スキャン]核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) スキャナー[レシピスキャン](LV～)：データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×1・データスティック (Data Stick)：１ ※右下に配置 イカスミ (Squid Ink) Fluid Extractor (LV)：イカスミ (Squid Ink)：144mB・イカスミ (Ink Sac)×1 印刷ページ(Printed Pages) プリンター (LV)：印刷ページ(Printed Pages)×1・紙 (Paper)×3・イカスミ (Squid Ink)：144mB・データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]：１ ※右下に配置 記入済みの本(Written Book)[核融合制御コンピュータマークⅠ] 組立機 (LV)：記入済みの本(Written Book)×1・印刷ページ(Printed Pages)×1・革 (Leather)×1・のり (Glue)：20mB 核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)本体ブロック + レシピ ネタバレ注意 核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) 必要電力：30000EU/t (LuV～)、加工時間：50秒 Bus 1：核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 Bus 2：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 3：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 4：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 5：クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×1 Bus 6：プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1 Bus 7：ネザースタープレート(Nether Star Plate)×1 Bus 8：空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×2 Bus 9：HPICウエハー (HPIC Wafer)×32 Bus 10：1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×32 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：2880mB 核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block) 2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire) クラフト：2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×1・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×2 超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block) クラフト：超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block)×1・2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×8・レンチ：1 イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector) 錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot) 合金製錬機(LV)：錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot)×2・鉄インゴット (Iron Ingot)×1・錫インゴット (Tin Ingot)×1 錫合金プレート (Tin Alloy Plate) 金属加工機(LV)：錫合金プレート (Tin Alloy Plate)×1・錫合金インゴット (Tin Alloy Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1])：1 中性子反射板 (Neutron Reflector) クラフト：中性子反射板 (Neutron Reflector)×1・錫合金プレート (Tin Alloy Plate)×6・ベリリウムプレート (Berylium Plate)×1・グラファイトの粉 (Graphite Dust)×2 ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot) 電気高炉(HV)[2460K]：ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot)×2・タングステンインゴット(Tungsten Ingot)×1・カーボンの粉(Carbon Dust)×1 タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot) 真空冷凍機(MV)：タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot)×1・ホットタングステンカーバイドインゴット(Hot Tungstencarbide Ingot)×1 タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate) 金属加工機(LV)：タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×1・タングステンカーバイドインゴット(Tungstencarbide Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1])：1 厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector) クラフト：厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector)×1・タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×1・ベリリウムプレート (Berylium Plate)×2・中性子反射板 (Neutron Reflector)×2 イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot) クラフト：イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot)×1・合金板 (Advanced Alloy)×4・イリジウムプレート (Iridium Plate)×4・工業用ダイヤモンド (Industrial Diamond)×1 イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate) 内破圧縮機(LV)：イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate)×1＋とても小さな黒灰 (Tiny Pile of Dark Ashes)×4・イリジウム合金インゴット (Iridium Alloy Ingot)×1・[火薬箱 (Powderbarrel)×16/ダイナマイト (Dynamite)×4/TNT×4/工業用TNT (Industrial TNT)×2] イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector) クラフト：イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector)×1・タングステンカーバイドプレート (Tungstencarbide Plate)×2・イリジウム強化プレート (Iridium Reinforced Plate)×1・厚い中性子反射板 (Thick Neutron Reflector)×6 空間発生器(MV) (Field Generator (MV) ) 空間発生器(MV) (Field Generator (MV) ) クラフト：空間発生器(MV) (Field Generator (MV) )×1・エンダーアイ (Ender Eye)×1・2倍オスミウムワイヤー(2x Osmium Wire)×4・MV電子回路×4 核融合コイルブロック(Fusion Coil Block) クラフト：核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1・超伝導コイルブロック (Superconducting Coil Block)×1・空間発生器(MV) (Field Generator (MV) )×2・イリジウム中性子反射板 (Iridium Neutron Reflector)×2・LuV電子回路×4 プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1 とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust) 遠心分離(HV)：とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust)×1(20％)＋とても小さなウラン238の粉(Tiny Pile of Uranium 238 Dust)×1(30%)・プルトニウム239の粉(Plutonium 239 Dust)×1 プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust) クラフト：プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust)×1・とても小さなプルトニウム241の粉(Tiny Pile of Plutonium 241 Dust)×9 プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot) 製錬：プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot)×1・プルトニウム241の粉(Plutonium 241 Dust)×1 プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate) 金属加工機(LV)：プルトニウム241プレート(Plutonium 241 Plate)×1・プルトニウム241インゴット(Plutonium 241 Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1])：1 ネザースタープレート(Nether Star Plate)×1 ネザースターブロック(Nether Star Block) 圧縮機(LV)：ネザースターブロック(Nether Star Block)×1・ネザースター(Nether Star)×9 ネザースタープレート(Nether Star Plate) 切断機(LV)：ネザースタープレート(Nether Star Plate)×9・ネザースターブロック(Nether Star Block)×1・潤滑油(Lebricant)：22mB 空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×2 クアンタムスター(Quantum Star) #ref error ：ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (quantum_star.png) 化学槽(HV)：クアンタムスター(Quantum Star)×1・ネザースター(Nether Star)×1・ラドン(Radon)：1250mB 空間発生器(IV) (Field Generator (IV) ) クラフト：空間発生器(IV) (Field Generator (IV) )×1・クアンタムスター(Quantum Star)×1・IV電子回路×4・16倍オスミウムワイヤー(16x Osmium Wire)×4 HPICウエハー (HPIC Wafer)×32 PICウエハー (PIC Wafer) レーザー刻印機(HV)[無菌室]：PICウエハー (PIC Wafer)×1・グロウストーン注入ウエハー(Quantum Star)×1・青色レンズ([Sappire/Opal/Blue Topaz] Lens)：1 リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust) クラフト：リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust)×3・インジウムの粉(Indium Dust)×1・ガリウムの粉(Gallium Dust)×1・リンの粉(Phosphor Dust)×1 HPICウエハー (HPIC Wafer) 化学反応炉(EV)：HPICウエハー (HPIC Wafer)×1・PICウエハー (PIC Wafer)×1・リン化インジウムガリウムの粉 (Indium Gallium Phosphide Dust)×2・溶融赤合金(Molten Red Alloy)：288mB クアンタムプロセッサメインフレーム(Quantumprocessor Mainframe)×4 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×32 溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：2880mB LuVマシン外装(LuV Machine Hull) LuVマシン外装(LuV Machine Casing) クラフト：LuVマシン外装(LuV Machine Casing)×1・クロムプレート (Chrome Plate)×8・レンチ：1 LuVハッチ・バス(LuV ～ Hatch/Bus) LuVマシン筐体(LuV Machine Casing) 組立機(LV)：LuVマシン筐体(LuV Machine Casing)×1・LuVマシン外装(LuV Machine Hull)×1・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×2・溶融ポリエチレン：288mB LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch) クラフト：LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×1 LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch) クラフト：LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch) クラフト：LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch)×1・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 核融合炉Mk.I の組み立て 1段目・LuVマシンケーシング：322段目・超電導コイルブロック 32・LuVマシンケーシング 58～46・LuVエネルギーハッチ 4～16・LuV搬出ハッチ 1・核融合炉Mk.1本体ブロック 13段目・LuVマシンケーシング：32 GUI NEIレシピ クラフトごとに起動する際に起電力が必要になる。核融合炉Mk.1に取り付けたエネルギーハッチの数で蓄電量が決まる（エネルギーハッチ1個で1000万EU蓄電でき、最大で16個設置できる） ヘリウムプラズマの作成 ヘリウム3(Helium-3) 遠心分離機(LV)：ヘリウム3(Helium-3)：100mB ＋ エンドストーン(Endstone Dust)×1・汚れたエンドストーンの粉(Impure Pile of Endstone Dust)×1・ヘリウム3(Helium-3)：100mB遠心分離機(MV)：ヘリウム3(Helium-3)：1mB・ヘリウム(Helium)：16mB 重水素(Deuterium) 遠心分離機(LV)：重水素(Deuterium)：4mB・水素(Hydrogen)：16mB ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma) 核融合炉(EV)：ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma)：125mB・ヘリウム3(Helium-3)：125mB・重水素(Deuterium)：125mB起電力：60 000 000EU ユーロピウムの作成 溶融ユーロピウム(Molten Europium) 核融合炉(LuV)：溶融ユーロピウム(Molten Europium)：16mB・水素(Hydrogen)：48mB・溶融ネオジム(Molten Neodymium)：16mB起電力：150 000 000EUレート：水素：3 + 溶融ネオジム：1→ 溶融ユーロピウム：1 Cristalprocesser(とLuVマシン)の作成 クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 回路組立機(LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser),クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)の作成にLuVマシンが必要になるため、まずは回路組立機(LuV)、レーザー刻印機(LuV)を作成する。 LuVマシンコンポーネントの作成について LuV以降のマシンコンポーネント(電気モーター、コンベアーモジュール等)は「組み立てライン(Assembly Line)」を使用して作成していく。作成レシピやデータは、作成したいマシンコンポーネントの一つ下の電圧レベルのアイテムをスキャンすることで入手できる(例：「電気モーター(LuV)」を作成する場合は「電気モーター(IV)」をスキャナーでスキャンする)。 LuVマシンコンポーネントのレシピ 組み立てラインで作成するアイテムのNEIレシピはアイテム作成の実績を取るとNEIレシピに表示される。 実績は組み立てライン(Assembly Line)で作成したアイテムを拾うことで獲得できる。 ※スキャナーでスキャンしたデータスティックがないと必要アイテムを揃えても組み立てラインを起動できない。 基本素材の作成レシピ 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) イットリウムの粉(Small Yttrium Dust) 遠心分離機[Centrifuge](LV～)：・レアアース(Rare Earth)×1※25％の確率で入手できる。レアアースはレッドストーン鉱石の加工やモナズ石の粉の電気分解等で入手できる。 バリウムの粉(Barium Dust) 電気分解[Electrolyzer](MV～)：・重晶石の粉(Barite Dust)×6重晶石はクォーツ鉱脈から入手できる。 イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust) クラフト：・イットリウムの粉(Yttrium Dust)×1・バリウムの粉(Barium Dust)×2・銅の粉(Copper Dust)×3 イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot) 電気高炉(MV～)[4500K～]：・イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust)×1真空冷凍機(MV～)：・ホットイットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Hot Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) ケーブル作成機[Wiremill](LV～)：・イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1組立機(LV～)：・1倍イットリウムバリウム銅酸塩ワイヤー(1x Yttrium Barium Cuprate Wire)×1・[イットリウムバリウム銅酸塩ホイル(Yttrium Barium Cuprate Foil)/ポリフェニレンスルファイドホイル(Polyphenylene Sulfide Foil]×1・プログラム回路[24](Programmed Circuit[Config = 24])：1・[溶融シリコーンゴム(Molten Silicone Rubber)/溶融スチレン・ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber)]：72mB※プログラム回路の代わりに、[小さなポリ塩化ビニルパルプ(Polyvinyl Chloride Pulp)か小さなポリメチルシロキサンパルプ(Polymethylsilxanee Pulp)を使用することで、溶融ゴムの使用量を減らすことができる(72mB → 36mB) HSS-G鋼アイテム(HSS-G ～ ) HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate) プレート作成機[Bending Machine](LV～)：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・プログラム回路[1](Programmed Circuit[Config = 1]) 1 HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod) 押出加工機[Extruder](HV～)：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・押出加工機の型(ロッド)(Extruder Shape (Rod)) 1 ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV～)：・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×2 HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw) 切断機[Cutting Machine](LV～)：・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×1・潤滑油(Lubricant) 1mB→旋盤[Lathe](LV～)：・HSS-G鋼ボルト(HSS-G Bolt)×1 HSS-G鋼リング(HSS-G Ring) 押出加工機[Extruder](HV～)：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1・押出加工機の型(リング)(Extruder Shape (Ring)) 1 HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor) 組立機[Assembling Machine](LV～)：・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×4・HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×1・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[16/32/48]mB HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round) 製錬[かまど]：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1→旋盤[Lathe](LV～)：・HSS-G鋼ナゲット(HSS-G Nugget)×1 HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear) 押出加工機[Extruder](HV～)：・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×4・押出加工機の型(ギア)(Extruder Shape (Gear)) 1 小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear) クラフト：・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×1・ハンマー(Hammer) 1 HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box) 組立機[Assembling Machine](LV～)：・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4・プログラム回路[4](Programmed Circuit[Config = 4) 1 LuVマシンコンポーネントの作成レシピ + Electric Motor（LuV） 電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod)×1 Bus 2：ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod)×2 Bus 3：軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 4：軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 5：軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 6：軟銅の細線(Fine Annealed Copper Wire)×64 Bus 7：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：144mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV～)：・ネオジムロッド(Neodymium Rod)×2→磁化機[Polarizer](HV～)：・ロングネオジムロッド(Long Neodymium Rod)×1 + Electric Pump（LuV） 電気ポンプ(LuV)(Electric Pump (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×1 Bus 2：小さな高圧液体パイプ(Small High Pressure Fluid Pipe)×2 Bus 3：HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×2 Bus 4：HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw)×8 Bus 5：シリコーンゴムリング(Silicone Rubber Ring)×4 Bus 6：HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor)×2 Bus 7：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：144mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB 小さな高圧液体パイプ(Small High Pressure Fluid Pipe) ハンマー[組立機[Assembling Machine](MV～)：・小さなタングステン鋼液体パイプ(Small Tungstensteel Fluid Pipe)×1・電気ポンプ(EV)(Electric Pump (EV))×1 + Conveyor Module（LuV） コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×2 Bus 2：HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×2 Bus 3：HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×4 Bus 4：HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round)×32 Bus 5：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×2 Hatch 1：溶融スチレン - ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber)：1440mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB + Electric Piston（LuV） 電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×1 Bus 2：HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×6 Bus 3：HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×4 Bus 4：HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round)×32 Bus 5：HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4 Bus 6：HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear)×1 Bus 7：小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear)×2 Bus 5：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×4 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：144mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB + Robot Arm （LuV） ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod)×4 Bus 2：HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear)×1 Bus 3：小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear)×3 Bus 4：電気モーター(LuV)(Electric Motor (LuV))×2 Bus 5：電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×1 Bus 6：マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×2 Bus 7：クアンタムプロセッサーアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×2 Bus 8：ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×6 Bus 9：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×6 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：576mB Hatch 2：潤滑油(Lubricant)：250mB + Emitter（LuV） エミッター(LuV)(Emitter (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2：エミッター(IV)(Emitter (IV))×1 Bus 3：エミッター(EV)(Emitter (EV))×2 Bus 4：エミッター(HV)(Emitter (HV))×4 Bus 5：ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×7 Bus 6：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 7：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 8：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 9：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×7 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：576mB + Sensor（LuV） センサー(LuV)(Sensor (LuV)) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2：センサー(IV)(Sensor (IV))×1 Bus 3：センサー(EV)(Sensor (EV))×2 Bus 4：センサー(HV)(Sensor (HV))×4 Bus 5：ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×7 Bus 6：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 7：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 8：エレクトラムホイル(Electrum Foil)×64 Bus 9：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×7 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：576mB + Field Generator（LuV） 空間発生器(LuV)(Field Generator (LuV)) #ref error ：ご指定のファイルが見つかりません。ファイル名を確認して、再度指定してください。 (field_generator_luv.png) 必要電力：6000EU/t (IV～)、加工時間：30秒 Bus 1：HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box)×1 Bus 2：HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×6 Bus 3：クアンタムスター(Quantum Star)×1 Bus 4：エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×4 Bus 5：マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×8 Bus 6：オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 7：オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 8：オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 9：オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64 Bus 10：1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable)×8 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：576mB レーザー刻印機(LuV) レーザー刻印機(LuV) (Advanced Precision Laser Engraver V) クラフト：・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×１・電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×２・LuV電子回路(Master Quantumcomputer)×３・１倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×２・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×１ 回路組立機(LuV) 回路組立機(LuV) (Advanced Circuit Assembling Machine V) クラフト：・ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV))×１・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×１・コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV))×２・ZPM電子回路(Quantumcomputer Mainframe)×２・１倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×２・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×１ クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の作成 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit) 生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip) Autoclave(HV～)：・とても大きなエメラルド/かんらん石(Exquisite [Olivine/Emerald])×１・溶融ユーロピウム：16mB※10％の確率で作成できる。 刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip) 電気高炉(HV～)[5000K～]：・生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)×１・エメラルド/かんらん石プレート([Olivine/Emerald] Plate)×１・ヘリウム：1000mB クリスタルCPU (Crystal Processing Unit) レーザー刻印機(LuV～)：・刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip)×１・エメラルドレンズ(Emerald Lens)：１※無菌室(Cleanroom)内で作成する。 クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)の量産について クリスタルCPU (Crystal Processing Unit)を単体クラフトすると、生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)が9個作成できるため、最初の一個目はAutoclaveを使用したレシピでチップを作成して、それ以降はクリスタルCPU の単体クラフトで増やしていく。 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) 化学反応器[Largeでも可](HV～)：・繊維強化回路基板(Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・エレクトラムホイル(Electrum Foil)×16・硫酸(Sulfuric Acid)：250mB ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) ニオブの粉(Niobium Dust [Tiny Pile of Niobium Dust]) 入手方法：熱遠心分離[Thermal Centrifuge]：[砕けた/洗浄された]タンタル石([Crushed/Purified] Tantalite Ore)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1遠心分離[ Centrifuge]：洗浄されたタンタル石の粉(Purified Tantalite Dust)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1電気分解[ Electrolyzer]：パイロクロアの粉(Pyrochlore Dust)×11→Niobium Dust×2粉砕副産物[Pulverization]：・洗浄されたタンタル石(Purified Tantalite Ore)・熱遠心分離されたパイロクロア鉱石(Centrifuged Pyrochlore Ore)・熱遠心分離された軟マンガン鉱石(Centrifuged Pyrolusite Ore)→Niobium Dust×1(10%) ニオブインゴット(Niobium Ingot) 電気高炉(MV～)[4500K～]：・ニオブの粉(Niobium Dust)×1→真空冷凍機(MV～)：・ホットニオブインゴット(Hot Niubium Ingot)×1 ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot) 電気高炉(MV～)[4500K～]：・ニオブインゴット(Niobium Ingot)×1・チタンインゴット(Titanium Ingot)×1真空冷凍機(MV～)：・ホットニオブチタンインゴット(Hot Niobium-Titanium Ingot)×1 ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) ケーブル作成機[Wiremill](LV～)：・ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot)×1→ケーブル作成機[Wiremill](LV～)：・1倍ニオブチタンワイヤー(1x Niobium-Titanium Wire)×1 クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) 回路組立機(LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)[レシピ] スキャナー：・ユーロピウムブロック(Block of Europium)×1・データスティック：1 核融合マーク1で作成できるユーロピウムをブロックにしたものをスキャンすることで核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロックの作成レシピがわかる。 クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe) クリスタルプロセッサーメインフレーム(Cristalprocesser Mainframe) 回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1・クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser)×2・小さなコイル(Small Coil)×4・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB 回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×2・クリスタルプロセッサーアセンブリ(Cristalprocesser Assembly)×3・チップダイオード(SMD Diode)×4・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB 回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：アルミニウムフレームボックス(Aluminium Frame Box)×1・アルティメットクリスタルコンピュータ(Ultimate Crystalcomputer)×4・小さなコイル(Small Coil)×4・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×24・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×161倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×12・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[288/576/1152]mB 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)本体ブロック + レシピ 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II) 必要電力：60000EU/t (LuV[2A～]/ZPM～)、加工時間：50秒 Bus 1：核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1 Bus 2：クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 3：クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 4：クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 5：クリスタルプロセッサメインフレーム(Crystalprocessor Mainframe)×1 Bus 6：ユーロピウムプレート(Europium Plate)×4 Bus 7：空間発生器(LuV) (Field Generator (LuV) )×2 Bus 8：HPICウエハー (HPIC Wafer)×48 Bus 9：2倍超伝導ワイヤー (2x Superconductor Wire)×32 Hatch 1：溶融半田合金(Molten Soldering Alloy)：2880mB ※組立ラインのLuVエネルギーハッチを2個にして、LuV電力を2Aにすることで60000EU/tを確保できる(LuVバッテリーを2個入れたバッテリーバッファの出力繋げるなど)。 コメント 名前 コメント
https://w.atwiki.jp/demonhunter/pages/47.html
モンスター名 属性 レベル 材料 ソウル ドロップ 備考 スラムロード 呪いの毛糸 デッドリーワクーム 52-55 亡者の爪 採集3 貪欲3 オブリビオンドムバ 52-54 精神の紐 破壊3 狙撃3 殲滅3 破滅1 毒50sec クドゥクロ 53-55 呪われた皮 魂2 体力3 力3 敏捷3 ブラディートトゥ 53-54 爆薬岩 自爆 オブリビオンマクーン 55-56 忘れた紋章 精神3 力3 知恵3 魂2 スロー20sec オブリビオンデス 55-57 亡者の魂 吸血1 ラクタ～（文字化け） 55-58 悪魔の血 ブラックヘルオン 55-57 煉獄の印章 会心1 クドゥバサル 57 滅亡の粉 自爆 グライム苦痛の精髄-8 55 体力3 力3 ラクタツ破壊の精髄-1 55 防御3 免疫3 克己2 殲滅の秘薬Lv3(レシピ) スタン ミスト 呪いの精髄-8 56 殲滅3 破壊3 オククーム幻覚の精髄-3 55 深淵1 破滅の秘薬Lv3(レシピ) クリアン貪欲の精髄-4 56 氷河1 炎1 雷1 会心の秘薬Lv3(レシピ) キラ・キバ裏切りの精髄 60 暗殺者の印裏切り者の血 幸運2 再生2 回復2貪欲3 採集3 Lv50-52の装備品(ホレムシリーズ)克己の秘薬Lv3(レシピ) オブリビオンマクーンが魂ソウル2を落としてるんだけど、 -- 名無しさん (2011-04-02 15 01 34) 確認できたんなら更新すれば？ -- 名無し (2011-04-02 19 28 39) だれでもできるわけじゃないんだ馬鹿言うな。 -- 名無しさん (2011-04-02 19 32 08) 俺普通に編集の書かれ方見てだいたい分かったぞ。別に枠作る必要無いなら簡単。不安なら更新する前にプレビューすればいい。自分が求めてる書き方からコピるのもあり。 -- 名無し (2011-04-03 00 08 03) 名前 コメント
https://w.atwiki.jp/audhis01/pages/33.html
旧エディンバラ時代 エディウス帝国の前代であり、七領主制度によって統治されていた旧エディンバラ国の時代を指す。
https://w.atwiki.jp/nikonemiku/pages/63.html
ニコニコ動画黎明期において同サイトの盛り上がりに一役買った動画につけられるタグ。またはキャラクター。当時の活躍に敬意を払ってこう呼ばれる。 現在では人気が下火になっているもの、忘れ去られて新規ユーザーには知られていないもの、現役で活躍中のものなど様々である。 また、γ時代、RC時代、RC2時代に流行した動画にはそれぞれ「γ時代の猛者」、「RC時代の豪傑」、「RC2時代の怪傑」というタグが貼られている。
https://w.atwiki.jp/unno/pages/146.html
書名 秘密結社の時代 鞍馬天狗で読み解く百年 書誌情報 出版社（叢書・シリーズ名）河出書房新社（河出ブックス） 発行年月日2010年4月30日 版型 造本データ ページ数B6判 並製 213ページ 定価1300円 装丁天野誠 (magic beans) 装画：佐多芳郎『地獄太平記』挿絵原画（部分）（大佛次郎記念館蔵） 年譜作成K K事務所 福島歩 異版 目次 プロローグ 鞍馬天狗の謎 7鞍馬天狗は秘密結社である 鞍馬天狗はどこからきたか 覆面の武士 ジゴマ頭巾 第一章 鞍馬天狗の四つの時代 25フランス革命と鞍馬天狗 ロシア革命と鞍馬天狗 維新革命と鞍馬天狗 鞍馬天狗と一九三〇年代 第二章 鞍馬天狗で秘密結社を解く 49サンカから鞍馬天狗へ～『鬼面の老女』 ゲリラ戦で資金調達～『御用盗異聞』 都市のアンダーワールド、秘密結社の世界～『小鳥を飼う武士』 敗者の復権～『角兵衛獅子』 〈革命〉としての明治維新～『鞍馬天狗余燼』 パブリック・エネミーの秘密結社との戦い～『山嶽党奇談』 戦乱の京都～『天狗廻状』 同時代の批判として～『江戸日記』 秘密結社の自滅、革命はどこへ行ったのか～『宗十郎頭巾』 結社がうごめく時代の中で～『御存知鞍馬天狗』 秘密結社が消えた時代～『江戸の夕映』 第三章 戦後の鞍馬天狗 131秘密結社が再現される～『新東京絵図』と『海道記』 真のテーマは天皇～『青面夜叉』 民俗的「秘密結社」～『夕立の武士』 カルト的秘密結社の背後～『影の如く』 大きな敵を見失ってしまった天狗～『女郎蜘蛛』 天狗が覆面を脱ぐ～『西海道中記』 第四章 天皇の『世紀』～秘密毛者をめぐる旅 161鞍馬天狗の幕間 『パリ燃ゆ』 無名の人々のコミューンを探し出した～『天皇の世紀』 エピローグ 横浜天狗ロマン周遊 189秘密結社も鞍馬天狗とともに消えた～『地獄太平記』 あとがき 198 参考文献／掲載資料 201 大佛次郎と鞍馬天狗年譜 205 あとがきより 私はこのところ、〈秘密結社〉に興味を持ち、『陰謀の世界史』（文藝春秋）、『秘密結社の世界史』（平凡社新書）、『秘密結社の日本史』（同）などを書いてきた。そしてふと、〈鞍馬天狗〉と〈秘密結社〉が結びついた。〈鞍馬天狗〉シリーズには多くの秘密結社が登場する。もしかしたらそれは、秘密結社の物語なのではないだろうか。 一九二〇年代というモダン都市の時代を調べてきた私は、このところ、その次の〈一九三〇年代〉に関心を広げている。『久生十蘭?』（右文書院）はそこから生まれた本である。十蘭を書いているうちに、大佛次郎との関係が気になってきた。鞍馬天狗のテーマにたどり着いたのもそのおかげであった。 大佛は一九三〇年代から現代小説を書きはじめた。ほとんど忘れられていたそれらの作品が、村上光彦の新しい解説で、未知谷から復刻されるようになった。その代表作である『白い姉』を私が書評したきっかけで、大佛次郎研究会に招かれ、大佛の現代小説と一九三〇年代のモダン都市についての話をすることになった。私の長年の友人である出村弘一さんがその研究会にいたこともうれしいおどろきだった。そして、大佛次郎の再評価をぜひやってほしいといわれたのである。 この本を書くに際して、大佛次郎研究会の村上光彦先生、大佛次郎記念館の益川良子さんのお世話になった。そしていつも新しいテーマを与えてくれる刈部謙一さん、出版に力を貸してくれた河出書房新社の田中優子さんに感謝する。 主な初出 書き下ろし 補記
https://w.atwiki.jp/neverland/pages/52.html
氏名 年齢(学年) 誕生日 性別 身長 委員会 役職 機体名 機体種別 プレイヤー 1 アイオライト・セプテンバー 16歳(高2) 9/21 男性 159.0cm 美化 委員長 ERT-D021〝ブルーテイル〟 クロムキャバリア 海老 2 アイリス・レーヴァテイン 10歳(小5) 5/5 女性 121.3cm 図書 一般 U-XXX Lægjarn サイキックキャバリア めがね 3 アリスアイリス・ムーンクレイドル 17歳(大1) 11/4 女性 153.5cm 美化 一般 “ムーンクレイドル” ジャイアントキャバリア みども 4 アレッサ・トラヴィアータ 14歳(中3) 7/18 女性 140.4cm 園芸 一般 シルフィード サイキックキャバリア 蛾 5 イオリ・カクトゥス 17歳(高3) 4/2 男性 159.0cm 園芸 委員長 “D-Ogre” ジャイアントキャバリア しぇいこ 6 イドール・シアンス 17歳(大1) 2/20 男性 176.3cm 生徒会 庶務 グラバー オブリビオンマシン なぞーん 7 犬伏・あかり 16歳(高2) 6/6 女性 157.9cm 保健 副委員長 ”カンオケ” オブリビオンマシン いぬ 8 イーリス・ヴァイデンフェラー 16歳(高2) 6/29 女性 215.6cm 生徒会 会計 LF-33D “ハーヴェスター” クロムキャバリア ありえす 9 薄氷・ジゼル 15歳(高1) 2/28 女性 143.7cm 図書 委員長 “グランツリッター” サイキックキャバリア しおざけ 10 エアリアル・ネバーランド 12歳(中2) 3/7 女性 136.6cm 園芸 一般 ”タイガー・リリィ” ジャイアントキャバリア もみあげ 11 開条・セサミ 15歳(中3) 5/5 男性 112.5cm 体育 一般 ”カプセライザーGP” スーパーロボット 星野・未来 12 風祭・ヒュウガ 16歳(高2) 5/22 男性 169.3cm 美化 一般 KMZ-1001 フーガ オブリビオンマシン さやな 13 火翅・ナナ 13歳(中2) 5/20 女性 139.0cm 体育 一般 “マクガフィン” クロムキャバリア たまき 14 哭・桃香 13歳(中3) 3/3 女性 149.5cm 保健 一般 マリス・イン・アンダーワールド クロムキャバリア ぺささー 15 クリフォード・バーリフェルト 16歳(高3) 10/10 男性 181.1cm 給食 一般 ”ミッドナイト・アイ” クロムキャバリア K.U.M.A 16 クリームヒルト・クルスクロイツ 14歳(中3) 7/20 女性 140.6cm 生徒会 広報 セントール ジャイアントキャバリア とーや 17 九嶺・ユノハ 11歳(中1) 1/15 女性 137.7cm 購買 委員長 FD-028 ファルステロ 量産型キャバリア ゆきそら 18 クロエ・ミディリィ 17歳(大1) 12/25 女性 162.6cm 給食 副委員長 “オールドレディ” クロムキャバリア てぃな 19 櫻羽・蛍 15歳(高1) 10/31 女性 153.1cm 購買 一般 “ホタルビ” クロムキャバリア 空臥 20 嗣條・マリア 14歳(中3) 5/7 女性 156.6cm 風紀 委員長 J-000 EMD Tyrant Phase4“タイラント” クロムキャバリア かべ 21 蘇芳・光太 10歳(小6) 11/11 男性 130.3cm 体育 一般 希光機レイズセイヴァー スーパーロボット よるたま 22 玉響・飛桜 12歳(中2) 2/22 男性 132.2cm 放送 一般 ”トランぺッター” サイキックキャバリア ちくわぶ 23 デュ・エルオビーオ 16歳(高2) 4/6 女性 148.5cm 生徒会 書紀 "ビアンカ・ヴェドヴァ" オブリビオンマシン おちんせる 24 ナイナイナ・スヴェルノスキー 15歳(高1) 6/24 女性 148.4cm 放送 委員長 “スラーヴァ” オブリビオンマシン しり 25 ナツキ・サクラバ 14歳(高1) 3/31 男性 166.4cm 給食 委員長 WRT-666 code K.O.D“ヒュペリオン” スーパーロボット わっふる 26 ノーウォー・ノーライフ 17歳(大1) 1/6 男性 170.8cm 体育 一般 HBO-005.9-00“Patchwark” 量産型キャバリア ようたん 27 ベリーム・ジャストロ 14歳(高1) 1/23 女性 152.2cm 美化 一般 BC-04F"エイプリル” クロムキャバリア ひゃくまる 28 本城・アサヒ 12歳(中1) 8/8 女性 134.8cm 美化 一般 ナザイベル オブリビオンマシン ニート 29 御門・白 14歳(中3) 10/16 女性 161.4cm 購買 一般 “ツクヨミ” オブリビオンマシン 葎 30 美聖・らふる 14歳(中3) 5/5 女性 141.1cm 美化 副委員長 “MG-002 ミゼラブル” 量産型キャバリア 甘党 31 南・七七三 12歳(中2) 10/1 女性 153.2cm 図書 一般 “ブラダー・チェリー”・“鬼灯” オブリビオンマシン はいく 32 モーラン・ヴァッカ 16歳(高3) 10/31 男性 181.0cm 保健 一般 “ジーニアス” 量産型キャバリア にゃああああん 33 八神・沙織 14歳(高1) 10/20 女性 157.6cm 美化 一般 "ポーン” 量産型キャバリア るっすぃ 34 ユウ・キリヤマ 17歳(高3) 6/2 男性 181.6cm 生徒会 副会長 〝黒騎士〟 クロムキャバリア やまだ 35 ユーディット・ウォーカー 15歳(高1) 9/19 女性 167.2cm 体育 委員長 “アンコール” オブリビオンマシン あかめ 36 ヨルゲン・エリクソン 17歳(高3) 7/2 男性 181.5cm 放送 一般 グロービョルン 量産型キャバリア あらさー 37 ラスト・バレット 18歳(大1) 8/15 男性 176.9cm 風紀 副委員長 量産型汎用機体ピーターパン 量産型キャバリア けーたろ 38 ルイス・テニエル 15歳(高1) 5/4 女性 153.1cm 保健 委員長 HΠT-013.7-00“Bandersnatch” クロムキャバリア ところてん 39 ロケート・タングラム 16歳(高2) 7/6 男性 169.2cm 風紀 一般 “ルイロペス” 量産型キャバリア 味れーな
https://w.atwiki.jp/nuramagotcg/pages/310.html
カード番号：B04-27 U カード名 ：羽衣狐 サブタイトル：新たなる時代 コスト 1 百鬼夜行ポイント 3 キャラクタータイプ 百鬼 所属：京妖怪 LV.1 4500/2 LV.2 5500/2 カードがあなたのキャラクターカードゾーンにある「京妖怪」の能力であなたのデッキから捨場に置かれる場合、 かわりに捨場に置く枚数を1枚増やす。 LV.3 6500/3 ４弾の京妖怪の特徴である、自身のデッキ破壊能力を強化できるカード。 ４弾メインで組む際は、入れておきたい。